Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН организован в 1977 г. для проведения фундаментальных и прикладных научных исследований в области сильноточной электроники. Организатор и первый директор института — академик РАН Г. А. Месяц. После него институтом руководили академики РАН С. П. Бугаев, С. Д. Коровин, Н. А. Ратахин. С апреля 2021 г. директором института является д.ф.-м.н. Илья Викторович Романченко. В институте 15 научных подразделений, включая 3 молодежные лаборатории.
Основные направления научных исследований института: фундаментальные проблемы физической электроники, в том числе сильноточной электроники и разработка на их основе новых приборов, устройств и технологий, а также современные проблемы физики плазмы, включая физику низкотемпературной плазмы и основы ее применения в технологических процессах. Значительные практические перспективы имеют осуществляемые в институте работы по импульсной энергетике, в том числе направленные на осуществление инерциального термоядерного синтеза; разработки источников пучков частиц и излучений для исследований по радиационной стойкости, электромагнитной совместимости, радиолокации, в том числе в интересах оборонной отрасли; разработки физических основ и оборудования для электронно-ионно-плазменных технологий модификации материалов и изделий.
Результаты фундаментальных исследований и разработок, выполняемых в ИСЭ СО РАН, в значительной степени определяют мировой уровень исследований в указанных выше предметных областях. Исследования ведутся с использованием обширного парка электрофизических экспериментальных установок, в числе которых уникальные научные установки России: ГИТ-12, МИГ, СИНУС-7, THL-100, УНИКУУМ.
Директор — Илья Викторович Романченко
Институт сильноточной электроники СО РАН (ИСЭ СО РАН)